天眼查显示,上海华虹宏力半导体制造有限公司“一种p沟道分栅sonos存储器阵列及其操作方法”专利公布,申请公布日为2024年10月18日,申请公布号为cn118804598a。
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本发明提供一种P沟道分栅SONOS存储器阵列,包括P型衬底;位于P型衬底内的N阱;位于N阱上的挨着的第一、第二和第三多晶硅栅,第一多晶硅栅包括ONO介质层和位于ONO介质层上方的第一多晶硅栅极;第二多晶硅栅包括栅氧层和位于栅氧层上方的第二多晶硅栅极;第三多晶硅栅包括ONO介质层和位于ONO介质层上方的第三多晶硅栅极;以及源极和漏极。本发明还提供一种P沟道分栅SONOS存储器阵列的操作方法,在N阱、第一、第二和第三多晶硅栅极、源极和漏极施加各操作电压,以实现写入、擦除和读取操作。本发明的P沟道分栅SONOS存储器阵列既比传统的SONOS存储阵列节省面积,在工艺制造中,又比N沟道SONOS存储器省了一张深N阱的光罩,节约了工艺成本。
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