本站 11 月 27 日消息，isscc 官网现已公布 2025 ieee isscc 国际固态电路会议的日程，该会议将于明年 2 月 16 日~20 日在美国加州旧金山举行。
重写：
包括英特尔首席执行官帕特·基辛格和三星电子存储器业务总裁兼总经理李祯培在内的四位行业专家将在 17 日的全体会议上发表演讲。
重写：
基辛格将探讨人工智能各个层面的技术，而李祯培将重点关注人工智能存储器及其演进。
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在具体会议日程中，SRAM、非易失性存储和 DRAM 专题均安排在 2 月 19 日举办。
值得关注的是，台积电将介绍存储密度达到 38.1 Mb/mm2 的 2nm Nanosheet 制程 SRAM。此外，英特尔也将展示采用 BSPDN 背面供电设计的 Intel 18A RibbonFET 工艺高密度 SRAM。
非易失性存储
DRAM
以上就是2025 年度 IEEE ISSCC 学术会议日程公布，三星将介绍 4XX 层 3D NAND的详细内容，更多请关注php中文网其它相关文章！
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