湖南三安半导体近日获得一项关于“碳化硅复合籽晶及晶体生长装置”的实用新型专利授权(授权公告号:cn221918322u,授权公告日:2024年10月29日,申请日:2023年11月30日)。
该专利技术涉及一种新型碳化硅复合籽晶及其生长装置。其核心在于籽晶的设计,它包含中间部分和边缘部分。边缘部分环绕中间部分设置,中间部分为偏轴籽晶,而边缘部分至少部分为正轴籽晶。这种设计巧妙地利用了偏轴籽晶的小平面区域作为模板,通过升华生长法复制籽晶多型体,降低了晶型转变的风险。同时,边缘区域的正轴籽晶有效解决了台阶束聚集问题,减少了堆垛层错的产生,最终降低了碳化硅晶体的缺陷率,提升了晶体质量。
以上就是三安半导体“碳化硅复合籽晶及晶体生长装置”专利获授权的详细内容,更多请关注php中文网其它相关文章!
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