捷捷微电“一种纵向变掺杂的IGBT结构及制备方法”专利公布

蓮花仙者
发布: 2024-12-24 09:03:18
原创
580人浏览过

江苏捷捷微电子股份有限公司近日公布一项名为“一种纵向变掺杂的igbt结构及制备方法”的专利(申请公布号:cn118969825a),申请公布日为2024年11月15日。

捷捷微电“一种纵向变掺杂的IGBT结构及制备方法”专利公布

该专利属于半导体技术领域,尤其关注IGBT器件的结构和制备工艺。其核心在于一种创新的纵向变掺杂IGBT结构,该结构包含:第一导电类型的半导体衬底;衬底正面设置的元胞区;以及衬底背面与集电极结构之间的过渡区。 过渡区由电场缓变层和场截止层构成,其中电场缓变层为第一导电类型的变掺杂层,场截止层为第一导电类型的重掺杂层,集电极结构则位于场截止层背面。 这种设计旨在有效避免因后续电场抬高而导致的器件失效问题。

以上就是捷捷微电“一种纵向变掺杂的IGBT结构及制备方法”专利公布的详细内容,更多请关注php中文网其它相关文章!

最佳 Windows 性能的顶级免费优化软件
最佳 Windows 性能的顶级免费优化软件

每个人都需要一台速度更快、更稳定的 PC。随着时间的推移,垃圾文件、旧注册表数据和不必要的后台进程会占用资源并降低性能。幸运的是,许多工具可以让 Windows 保持平稳运行。

下载
来源:php中文网
本文内容由网友自发贡献,版权归原作者所有,本站不承担相应法律责任。如您发现有涉嫌抄袭侵权的内容,请联系admin@php.cn
最新问题
开源免费商场系统广告
热门教程
更多>
最新下载
更多>
网站特效
网站源码
网站素材
前端模板
关于我们 免责申明 意见反馈 讲师合作 广告合作 最新更新
php中文网:公益在线php培训,帮助PHP学习者快速成长!
关注服务号 技术交流群
PHP中文网订阅号
每天精选资源文章推送
PHP中文网APP
随时随地碎片化学习
PHP中文网抖音号
发现有趣的

Copyright 2014-2025 https://www.php.cn/ All Rights Reserved | php.cn | 湘ICP备2023035733号