三星将在平泽P2厂建设10nm第七代DRAM试验线

雪夜
发布: 2024-12-24 12:36:25
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三星电子加码存储芯片技术,在平泽二厂(p2)建设10nm第七代dram(1d dram)试验线,以提升竞争力并优化新一代产品的良率。

三星将在平泽P2厂建设10nm第七代DRAM试验线

据悉,该试验线预计2024年第四季度开建,2025年第一季度完工。虽然具体产能尚未公布,但业界推测其月产能约为10000片晶圆。三星计划2025年量产1c DRAM,2026年量产1d DRAM。此举显示三星积极抢占市场先机,力求在2025年保持存储市场领导地位,尤其是在面临SK海力士在高带宽存储器(HBM)领域日益增长的竞争压力下。

三星充分利用其人力和产能优势,加快新产品研发。业内人士分析,新任三星设备解决方案(DS)负责人全英铉的技术背景,使其能直接掌控三星存储技术发展方向,并在DS部门内部推动重大改革。 同时,三星也在加大对NAND闪存技术的投入。

近期,三星平泽第一工厂(P1)已建成业界首条堆叠400层3D NAND(V10)测试线,P4工厂也引进了堆叠286层(V9)设备。通过在DRAM和NAND技术上的战略布局,三星旨在巩固其在全球存储市场中的技术领先优势。 加快试验线建设和下一代产品量产,彰显了三星在竞争激烈的市场环境中保持领先地位的决心。(校对/李梅)

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