聚能创芯“一种高电子迁移率晶体管封装结构及制备方法”专利公布

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发布: 2025-02-06 09:24:30
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青岛聚能创芯微电子有限公司近日公布一项名为“一种高电子迁移率晶体管封装结构及制备方法”的新专利(申请公布号:cn119133169a,申请公布日:2024年12月13日)。

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聚能创芯“一种高电子迁移率晶体管封装结构及制备方法”专利公布

该专利技术应用于驱动集成电路封装领域。其核心在于一种创新的封装结构,该结构包含高电子迁移率晶体管和位于其一侧表面的多个三极管。 高电子迁移率晶体管的栅极靠近三极管一侧,而三极管的发射极则靠近高电子迁移率晶体管,并与栅极导电连接。其余电极均与相应的引脚导电连接。 这种设计巧妙地将三极管集成到高电子迁移率晶体管的封装中,在减小器件电路板占用面积的同时,有效降低了线路寄生电感。

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