效率超98%!英诺赛科推出48V系统四相2kW降压电源方案

看不見的法師
发布: 2025-03-12 15:48:12
原创
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英诺赛科推出两款高功率密度48v-12v降压电源方案,助力数据中心高效节能升级!面对服务器和ai应用日益增长的功率需求,以及48v供电架构的普及,传统电源方案已难以满足高功率密度和低损耗的要求。英诺赛科凭借其领先的氮化镓技术,成功开发出两款2kw四相交错降压电源方案,为数据中心等领域带来革命性改变。

效率超98%!英诺赛科推出48V系统四相2kW降压电源方案

体积小巧,功率惊人

这两款方案巧妙地结合了氮化镓高频高效特性和四相交错Buck拓扑结构,实现了高功率密度和紧凑型设计。其核心元件包括超小型氮化镓半桥驱动IC INS2002和双面散热低压氮化镓功率晶体管INN100EA035A,效率高达98%,功率模块面积仅为68mm x 30mm,堪比智能手机的五分之一!

氮化镓技术,效率提升的关键

相比传统的硅MOSFET,氮化镓拥有更优异的开关特性和更低的开关损耗,从而实现更高的转换效率、更高的开关频率以及更小的器件体积。这两款2kW方案分别采用4颗英诺赛科100V氮化镓半桥驱动IC (INS2002FQ) 和16颗100V双面散热低压氮化镓功率晶体管 (INN100EA035A)。

INS2002FQ采用英诺赛科自研的FCQFN 3mm x 3mm封装,专为GaN驱动而设计,具备内置自举电路、独立的驱动上拉和下拉输出引脚以及支持3态PWM输入等特性,驱动能力更强,传播延迟更低。INN100EA035A采用En-FCLGA 3.3mm x 3.3mm封装,拥有超低的导通电阻和双面散热特性,有效降低能量损耗并提升散热能力。

四相交错Buck拓扑,效率更上一层楼

方案采用四相交错Buck拓扑结构,每相使用一颗INS2002FQ和四颗INN100EA035A。通过采用双耦合/四耦合电感替代传统的分立电感,有效降低了电感纹波电流,减小了电感和电容体积,进一步提升了系统功率密度。

效率超98%!英诺赛科推出48V系统四相2kW降压电源方案

在输入40Vdc-60Vdc,输出12V/167A的条件下,两款方案均可实现2000W的最大输出功率。其中,双耦合电感方案峰值效率达98%@1200W,满载效率为97.6%@2000W;四耦合电感方案峰值效率达98.1%@1000W,满载效率为97.7%@2000W。功率级尺寸均为68mm x 30mm x 18mm。与市面上最好的Si MOSFET方案相比,效率提升超过1%。

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行业领先的效率和低损耗

  • 四相交错Buck拓扑,成熟可靠,拓展性强;
  • 效率超过98%,比最佳Si MOSFET方案高出1%以上;
  • 高开关频率、高功率密度,显著降低能耗,满载无风冷条件下器件热点温度比最佳Si MOSFET低15度以上。

广泛应用,推动绿色发展

英诺赛科的这两款降压电源方案可广泛应用于数据中心服务器48V供电系统、新能源汽车48V供电架构以及工业和通信电源模块等领域,通过高效的氮化镓技术,降低系统损耗,提升效率,助力低碳节能发展。

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