英诺赛科推出两款高功率密度48v-12v降压电源方案，助力数据中心高效节能升级！面对服务器和ai应用日益增长的功率需求，以及48v供电架构的普及，传统电源方案已难以满足高功率密度和低损耗的要求。英诺赛科凭借其领先的氮化镓技术，成功开发出两款2kw四相交错降压电源方案，为数据中心等领域带来革命性改变。
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体积小巧，功率惊人
这两款方案巧妙地结合了氮化镓高频高效特性和四相交错Buck拓扑结构，实现了高功率密度和紧凑型设计。其核心元件包括超小型氮化镓半桥驱动IC INS2002和双面散热低压氮化镓功率晶体管INN100EA035A，效率高达98%，功率模块面积仅为68mm x 30mm，堪比智能手机的五分之一！
氮化镓技术，效率提升的关键
相比传统的硅MOSFET，氮化镓拥有更优异的开关特性和更低的开关损耗，从而实现更高的转换效率、更高的开关频率以及更小的器件体积。这两款2kW方案分别采用4颗英诺赛科100V氮化镓半桥驱动IC (INS2002FQ) 和16颗100V双面散热低压氮化镓功率晶体管 (INN100EA035A)。
INS2002FQ采用英诺赛科自研的FCQFN 3mm x 3mm封装，专为GaN驱动而设计，具备内置自举电路、独立的驱动上拉和下拉输出引脚以及支持3态PWM输入等特性，驱动能力更强，传播延迟更低。INN100EA035A采用En-FCLGA 3.3mm x 3.3mm封装，拥有超低的导通电阻和双面散热特性，有效降低能量损耗并提升散热能力。
四相交错Buck拓扑，效率更上一层楼
方案采用四相交错Buck拓扑结构，每相使用一颗INS2002FQ和四颗INN100EA035A。通过采用双耦合/四耦合电感替代传统的分立电感，有效降低了电感纹波电流，减小了电感和电容体积，进一步提升了系统功率密度。
在输入40Vdc-60Vdc，输出12V/167A的条件下，两款方案均可实现2000W的最大输出功率。其中，双耦合电感方案峰值效率达98%@1200W，满载效率为97.6%@2000W；四耦合电感方案峰值效率达98.1%@1000W，满载效率为97.7%@2000W。功率级尺寸均为68mm x 30mm x 18mm。与市面上最好的Si MOSFET方案相比，效率提升超过1%。
行业领先的效率和低损耗
- 四相交错Buck拓扑，成熟可靠，拓展性强；
- 效率超过98%，比最佳Si MOSFET方案高出1%以上；
- 高开关频率、高功率密度，显著降低能耗，满载无风冷条件下器件热点温度比最佳Si MOSFET低15度以上。
广泛应用，推动绿色发展
英诺赛科的这两款降压电源方案可广泛应用于数据中心服务器48V供电系统、新能源汽车48V供电架构以及工业和通信电源模块等领域，通过高效的氮化镓技术，降低系统损耗，提升效率，助力低碳节能发展。
