三星抢先布局1nm芯片工艺,力争超越台积电!据报道,三星电子已启动1nm(纳米)晶圆代工工艺研发,目标于2029年后实现量产。此举旨在弥补目前在2nm工艺等方面与台积电的差距,力图实现技术反超。
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业内消息显示,三星电子半导体研究所已组建专门团队,负责1nm工艺的开发工作,成员多来自参与2nm工艺研发的精英工程师。目前三星公开的路线图显示,1.4nm工艺计划于2027年量产,而1nm工艺则需要突破现有技术瓶颈,并依赖于高数值孔径极紫外光(High-NA EUV)光刻机等先进设备。
在3nm和即将量产的2nm领域,三星目前落后于台积电,尤其在2nm良率方面差距显著(台积电已超过60%)。因此,提前启动1nm工艺研发成为三星追赶竞争对手的关键策略。
值得注意的是,台积电也正积极推进1nm级工艺的研发,去年已宣布将在2026年下半年量产介于1.4nm和2nm之间的1.6nm(16A)技术,以应对人工智能(AI)市场对先进半导体技术的迫切需求,并为下一代工艺发展奠定基础。 这场1nm芯片工艺的竞争,将进一步推动半导体行业的快速发展。
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