森国科“具有异质结的Si/SiCMOS器件及制作方法”专利公布

絕刀狂花
发布: 2025-04-22 18:22:19
原创
916人浏览过

天眼查数据显示,深圳市森国科科技股份有限公司的一项专利“具有异质结的si/sicmos器件及制作方法”已公布,公布日期为2025年3月7日,公布号为cn119584591a。

☞☞☞AI 智能聊天, 问答助手, AI 智能搜索, 免费无限量使用 DeepSeek R1 模型☜☜☜

森国科“具有异质结的Si/SiCMOS器件及制作方法”专利公布

该发明属于半导体技术领域,具体涉及一种具有异质结结构的Si/SiC MOS器件及其制作方法。该器件结构包括硅衬底、硅区、碳化硅区和栅极区。硅区位于硅衬底上方,旨在提升器件的高沟道迁移率;碳化硅区则位于硅区上方,赋予器件高击穿电压的特性,并在零栅压下呈现低击穿电压状态;栅极区则在垂直方向上贯穿碳化硅区,其底部延伸至硅区内。通过采用SiSiC异质结结构,该器件同时具备了碳化硅的高击穿电压和硅的高沟道迁移率的优点,能够提高击穿电压,降低导通电阻和功耗。此外,该器件在正向导通、栅极0V低压击穿和栅极负压高压三种状态下表现出色,增强了其在低压条件下的使用稳定性和功能性。

AI Sofiya
AI Sofiya

一款AI驱动的多功能工具

AI Sofiya 109
查看详情 AI Sofiya

以上就是森国科“具有异质结的Si/SiCMOS器件及制作方法”专利公布的详细内容,更多请关注php中文网其它相关文章!

相关标签:
最佳 Windows 性能的顶级免费优化软件
最佳 Windows 性能的顶级免费优化软件

每个人都需要一台速度更快、更稳定的 PC。随着时间的推移,垃圾文件、旧注册表数据和不必要的后台进程会占用资源并降低性能。幸运的是,许多工具可以让 Windows 保持平稳运行。

下载
来源:php中文网
本文内容由网友自发贡献,版权归原作者所有,本站不承担相应法律责任。如您发现有涉嫌抄袭侵权的内容,请联系admin@php.cn
最新问题
开源免费商场系统广告
热门教程
更多>
最新下载
更多>
网站特效
网站源码
网站素材
前端模板
关于我们 免责申明 举报中心 意见反馈 讲师合作 广告合作 最新更新 English
php中文网:公益在线php培训,帮助PHP学习者快速成长!
关注服务号 技术交流群
PHP中文网订阅号
每天精选资源文章推送
PHP中文网APP
随时随地碎片化学习

Copyright 2014-2025 https://www.php.cn/ All Rights Reserved | php.cn | 湘ICP备2023035733号