天眼查数据显示,深圳市森国科科技股份有限公司的一项专利“具有异质结的si/sicmos器件及制作方法”已公布,公布日期为2025年3月7日,公布号为cn119584591a。
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该发明属于半导体技术领域,具体涉及一种具有异质结结构的Si/SiC MOS器件及其制作方法。该器件结构包括硅衬底、硅区、碳化硅区和栅极区。硅区位于硅衬底上方,旨在提升器件的高沟道迁移率;碳化硅区则位于硅区上方,赋予器件高击穿电压的特性,并在零栅压下呈现低击穿电压状态;栅极区则在垂直方向上贯穿碳化硅区,其底部延伸至硅区内。通过采用SiSiC异质结结构,该器件同时具备了碳化硅的高击穿电压和硅的高沟道迁移率的优点,能够提高击穿电压,降低导通电阻和功耗。此外,该器件在正向导通、栅极0V低压击穿和栅极负压高压三种状态下表现出色,增强了其在低压条件下的使用稳定性和功能性。
以上就是森国科“具有异质结的Si/SiCMOS器件及制作方法”专利公布的详细内容,更多请关注php中文网其它相关文章!
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