近期，由成都士兰半导体制造有限公司负责的四川省重点研发项目“12英寸硅片超高掺杂与多层外延生长技术”顺利通过了结题验收。验收小组通过听取项目报告、审查相关资料以及提问交流的方式，一致认定该项目技术方案合理，研究手段严谨，文档齐全，资金使用规范，全面达成了任务书中设定的各项指标，准予通过验收。
此项目依托于成都士兰自主研发的硅外延技术平台，联合多家知名高校展开深度技术协作，聚焦于理论突破、技术创新及实际应用等多个维度，经过基础材料的研发、生产工艺的改进以及加工精度的提高，成功完成了12英寸硅外延片超高掺杂、多层不同掺杂元素连续外延生长技术的设计与生产测试，并实现了该类型硅外延片的大规模生产和产业化推广。
成都士兰半导体制造有限公司始终将技术创新视为推动企业成长的核心动力，持续增加科研投入，相继建立了多个技术研究机构。近年来，公司荣获“四川省半导体功率模块封装工程技术研究中心”、“四川省硅基半导体薄膜材料工程研究中心”、“四川省企业技术中心”等多项荣誉，进一步增强了自身的自主创新能力与市场竞争力。
本次项目的圆满收官，标志着成都士兰半导体制造有限公司迈上了新的发展台阶。展望未来，公司将坚守“诚信、坚韧、探索、热忱”的核心价值观，加强与学术界的合作交流，加快科技成果向现实生产力转化的速度，努力为我国集成电路行业的高水平发展注入强劲动能。
（校对/黄仁贵）
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