天眼查信息显示,无锡华润上华科技有限公司于2025年2月14日公开了一项名为“横向扩散金属氧化物半导体器件及其制备方法”的专利,专利申请公布号为cn119451184a。
该专利涉及一种横向扩散金属氧化物半导体器件及其实现方法。在该器件的制造过程中,首先提供一个衬底;随后在衬底内部形成体区;接着在衬底表面设置注入掩蔽结构,该结构覆盖衬底的部分区域;其中,体区位于注入掩蔽结构在衬底上的投影范围内;从体区朝向衬底边缘方向,注入掩蔽结构沿第一方向的厚度逐渐减小,而第一方向与衬底的厚度方向平行;之后,在衬底内形成漂移区,漂移区与体区相邻,且从体区至衬底边缘方向,漂移区沿第一方向的深度逐步增加。通过上述设计,不仅有助于降低漂移区靠近沟道区一端的电场强度,从而增强器件的稳定性;同时也有利于减弱Kirk效应,提升导通状态下的击穿电压性能。
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