据报道,三星电子正在加速推进其位于平泽第四园区(P4)第二期(PH2)和第四期(PH4)的投资计划。预计总金额约为7万亿韩元的外部基础设施建设将在今年下半年全面启动。原本设计为NAND闪存制造厂的PH1阶段,现已调整为同时生产NAND闪存与10纳米级第四代(1a)DRAM的复合型工厂,目前设备安装工作已接近完成。
关于PH2的用途,三星内部仍在进行评估,考虑是将其作为DRAM专用产线,还是转型为兼具存储与代工能力的混合型晶圆厂。
此前有消息称,平泽P4项目由四个阶段组成,涵盖最先进的存储与代工生产线。最初规划依次建设存储产线PH1、代工厂PH2、存储产线PH3以及代工厂PH4,以逐步完成整个P4园区的布局。
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