天眼查数据显示,杭州中欣晶圆半导体股份有限公司近日公开了名为“改善硅片背封外观的加工工艺”的专利信息,该专利申请公布日期为2025年3月14日,公布编号为CN119615104A。
本发明提供了一种优化硅片背封外观的加工方法,属于硅片制造技术领域。具体操作流程如下:首先对已完成双面抛光处理的硅晶片进行APCVD工艺前的清洗作业;其次将硅晶片送入设备中进行SiO2薄膜沉积,传输速度控制在190~210mm/min之间;接着,APCVD工艺所使用的三个反应喷头温度分别设定为T1=620~700℃、T2=560~640℃、T3=460~540℃;随后,在硅晶片背面形成一层厚度为0.3~0.6μm的LTO薄膜;完成背封工艺后再次对硅晶片进行清洗处理;最后,经过APCVD处理的硅晶片进入后续的抛光与清洗工序。该工艺具备操作简便、成膜稳定性强的优势,通过对APCVD背封环节相关参数的优化调整,有效防止了晶片表面粉末状污染物的附着,确保了薄膜均匀且无其他视觉缺陷,从而显著提高了产品的首次加工合格率。
以上就是中欣晶圆半导体“改善硅片背封外观的加工工艺”专利公布的详细内容,更多请关注php中文网其它相关文章!
每个人都需要一台速度更快、更稳定的 PC。随着时间的推移,垃圾文件、旧注册表数据和不必要的后台进程会占用资源并降低性能。幸运的是,许多工具可以让 Windows 保持平稳运行。
Copyright 2014-2025 https://www.php.cn/ All Rights Reserved | php.cn | 湘ICP备2023035733号