天眼查信息显示,泰科天润半导体科技(北京)有限公司于2025年3月14日公开了一项名为“一种低反向恢复干扰平面栅vdmos及其制备方法”的专利,专利申请公布号为cn119630038a。
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该发明涉及一种具备低反向恢复干扰特性的平面栅VDMOS器件及其制造工艺。在带有漏极金属层的碳化硅基板上设置阻挡层,并通过光刻工艺形成开口;随后对碳化硅基板进行离子注入,以形成多个缓冲区域;去除阻挡层后,在碳化硅基板上进行外延生长,从而获得漂移层;接着在漂移层表面重新沉积阻挡层,经刻蚀和离子注入处理后,分别形成变掺杂区、P型阱区、P型源区以及N型源区;再次形成阻挡层并刻蚀出通孔后,沉积栅介质层;继续在表面形成阻挡层并刻蚀,之后沉积金属材料,形成栅极金属层;最后再次设置阻挡层并开孔,沉积金属形成源极金属层,去除阻挡层后完成整体结构。该设计通过在器件内部引入缓冲区,显著降低了反向恢复过程中电压上升沿的过冲现象,从而减少了对外部电路的电磁干扰。










