近日有消息称，国产存储大厂长鑫存储计划对用于服务器和PC的DDR4内存发布产品终止（EOL）通知，预计最迟于2026年上半年全面停止供货，转而集中资源发展DDR5及高带宽内存（HBM）技术。
据悉，该EOL通知有望于第三季度正式公布，但已有下游企业表示，目前市场上长鑫的DDR4产品已接近断货。未来，长鑫将不再推进标准型DDR4产品的研发，仅保留少量产线为兆易创新代工，以维持消费级市场部分DDR4产品的供应需求。
据DIGITIMES援引业内人士观点，这一战略调整背后有政策推动因素。相关部门正鼓励国内主要芯片企业加快与国家科技发展目标对齐，尤其是在人工智能和云计算基础设施等关键领域实现自主突破。
与此同时，全球主流DRAM厂商也早已开启DDR4减产进程。三星、美光和SK海力士自2024年起持续降低DDR4产能占比。其中，SK海力士在2024年第三季度的DDR4生产比重已从第二季度的40%下调至30%，并计划在第四季度进一步压降至20%。三星则将原有DDR4产能逐步转移至DDR5、LPDDR5等先进制程产品线上。
在技术研发方面，长鑫存储已于2024年底启动DDR5颗粒的小批量量产与出货，并正在积极推进下一代15nm制程的研发工作，目标是在2025年内完成开发，2026年下半年实现规模化量产。
目前，长鑫存储生产的DDR4及LPDDR4X DRAM产品主要基于17-18nm工艺节点。Counterpoint研究数据显示，2024年长鑫在全球DRAM产能中的份额已达13%，出货量和销售额分别占全球总量的6%和3.7%。
展望2025年，随着产能持续扩张，长鑫存储的整体产能预计将攀升至与美光科技相当的水平，进一步巩固其在全球DRAM市场的地位。此外，公司还传闻正在布局高端HBM解决方案，可能指向HBM3技术，以满足高性能计算和AI应用日益增长的需求。
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