
9月14日,SK海力士正式宣布,已率先完成全球首款新一代HBM4内存的研发工作,并全面进入可大规模量产的阶段。
此次推出的HBM4内存具备2048-bit的I/O接口位宽,单针脚带宽达到10Gbps,使得单颗芯片的数据传输速率最高可达2.5TB/s,性能表现极为亮眼。
值得一提的是,这一数值已超越JEDEC标准所定义的8Gbps门槛。SK海力士表示,该内存部署于AI系统中后,有望实现最高达69%的性能飞跃。
在制造工艺方面,SK海力士采用了自研的MR-MUF封装技术,并基于其第五代10nm级工艺——即1bnm技术节点打造,进一步提升了能效与集成度。
目前,SK海力士尚未公布HBM4的具体堆叠层数与单颗容量信息,但业界预测其堆叠高度或可达最高12层。
与此同时,三星也在加速推进自家HBM4产品的研发进程,意图在这一关键领域与SK海力士展开激烈竞争。
作为下一代AI基础设施的核心组件,HBM4内存已成为各大科技巨头的必争之地。包括NVIDIA、AMD和Intel在内的厂商均高度依赖此项技术。
据悉,NVIDIA下一代Rubin架构GPU将配备高达288GB的HBM4显存,而AMD的Instinct MI400系列更计划支持最高432GB HBM4内存,峰值带宽可达19.6TB/s,展现出惊人的数据吞吐能力。


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