9月16日，联发科通过官网发布消息，其首款基于台积电2纳米制程打造的旗舰级系统单芯片（soc）已顺利完成设计流片（tape out），跻身全球最早一批2nm芯片行列，预计将于明年年底开始量产并正式推向市场。
尽管官方尚未透露具体型号名称，但从现有产品路线图来看，这款芯片极有可能正是下一代天玑9系列旗舰处理器——天玑9600。
资料显示，台积电此次在2nm工艺上首次引入了纳米片（Nanosheet）晶体管结构，这一创新架构有助于显著提升芯片的性能表现、降低功耗，并优化制造良率。
相较于当前主流的N3E工艺，台积电增强版2nm技术在逻辑密度上提升了1.2倍，相同功耗下运算性能最高可提升18%，而在同等频率运行时，功耗则可降低约36%。
联发科指出，公司长期与台积电在多个关键领域展开深度合作，涵盖高端移动平台、高性能计算、车载电子及数据中心等应用场景。此次成功流片标志着双方在推动先进制程落地方面迈出了重要一步，也进一步巩固了MediaTek与台积电之间紧密协作的战略伙伴关系。
以上就是联发科首款台积电2nm制程旗舰SoC完成设计流片：明年底量产上市的详细内容，更多请关注php中文网其它相关文章！
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