9 月 28 日消息,全球两大功率半导体巨头——德国英飞凌(infineon)与日本罗姆(rohm)于本月 25 日共同宣布,双方已签署备忘录,将建立碳化硅(sic)功率器件封装领域的合作机制。
根据协议内容,两家公司将互为对方特定 SiC 功率器件封装的第二供应商,使客户能够更灵活地在英飞凌和罗姆的对应产品之间进行切换,从而增强系统设计和供应链采购的弹性。
具体分工方面,罗姆将采用英飞凌的 2.3mm 标准高度 SiC 顶部散热封装平台;而英飞凌则将引入罗姆的半桥结构 SiC 模块“DOT-247”,并基于此开发兼容性封装方案。

左:英飞凌科技零碳工业功率事业部总裁 Peter Wawer
右:罗姆董事兼常务执行官伊野和英
此外,双方还计划逐步拓展合作范围,未来这一战略合作有望覆盖更多基于硅(Si)、碳化硅(SiC)以及氮化镓(GaN)等宽禁带半导体技术的功率器件封装形式。
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