近期，AI领域对HBM及传统DRAM芯片的需求保持强劲势头，推动市场价格显著攀升。然而，面对这一机遇，全球主要DRAM制造商却显得格外审慎，并未急于大规模扩张生产能力。
其背后的主要顾虑在于，担心未来AI热潮可能退去，一旦泡沫破裂，前期投入的巨额资金或将面临无市场需求的严峻局面。
正因如此，这些企业更倾向于采取一种风险较低且收益稳定的策略：通过改造现有的PC用DRAM生产线来满足HBM的生产需求，而非投资建设全新的产线。此举虽能快速响应高端市场变化，但也直接导致了标准内存芯片产能的缩减。
尽管当前需求旺盛，尤其是在多家科技公司已规划长期AI基础设施建设的背景下，各大存储厂商仍没有盲目跟风扩产，而是将重心转向技术升级，包括推进制程微缩、实现更高层数的堆叠、应用混合键合工艺，以及重点发展HBM等高附加值产品。
据TrendForce分析，目前仅有三星与SK海力士具备小幅扩产的能力，而美光则需等待其在美国的ID1工厂正式启用，预计最快也要到2027年才能开始量产。因此，可以预见的是，2026年个人电脑内存供应紧张的局面恐将持续。
