11月28日消息，据行业消息透露，存储巨头铠侠（kioxia）与闪迪（sandisk）正考虑在美国合作建设nand闪存制造工厂，这一动向被认为是对美日两国政府推动半导体供应链本土化战略的积极响应。
目前，铠侠与闪迪联合运营的NAND晶圆厂均坐落于日本国内，主要集中在四日市和北上市。放眼全球，约90%的NAND闪存产能集中于东亚地区，产业布局高度集聚。
值得注意的是，三星电子、SK海力士以及美光等主要存储厂商此前宣布的美国投资计划，重点均放在DRAM或HBM等领域，并未涵盖NAND闪存生产。 因此，若铠侠与闪迪此次在美建厂计划得以推进，将在NAND领域填补空白，具备重要的战略布局意义。
不过，在美国落地晶圆厂仍面临多重挑战。台积电亚利桑那州项目已提供先例：其凤凰城工厂自2020年5月宣布后，直到2021年4月才正式动工，量产时间较原定计划明显推迟，暴露出当地在工程执行效率、技术人才储备等方面的系统性难题。
业内分析认为，即使双方最终敲定建厂方案，从选址、审批到设备安装调试，整个周期预计需要3至5年时间。 换言之，未来两三年内全球NAND闪存的供应格局仍将维持现状，新产能无法即时缓解当前市场供需压力。
