韩国媒体披露，三星电子已宣布对其半导体事业部实施重大组织架构改革，正式解散成立仅一年的高带宽内存（HBM）特别项目团队，并将该团队的全部人员及业务并入DRAM开发部门下属的设计小组。
此项调整已在近期召开的高层管理会议中正式发布。主要变动内容为撤销2023年7月为加速HBM技术研发而设立的独立运作团队。原团队成员将整体转入DRAM研发体系，继续专注于高性能存储解决方案的技术创新。此举标志着HBM相关业务不再作为独立单元存在，而是深度整合进主流存储芯片的研发流程中，以提升与现有DRAM产品线的协同效率和技术融合能力。
此前领衔HBM专项团队的副社长孙永秀，已在新的组织架构下出任DRAM部门设计团队主管。他将继续主导团队工作，推进HBM4、HBM4E等下一代高性能存储产品的关键技术突破。
该特别项目组成立于2023年5月，在全永铉接掌半导体业务后迅速组建，旨在集中优势资源应对当时在HBM领域落后于竞争对手的局面。此次重组距离团队成立尚不足一年半。业界分析认为，这反映出三星已在HBM4等前沿技术节点上建立起自主核心技术能力，摆脱了初期依赖突击型团队紧急追赶的被动模式，正转向更加系统化、长期化的技术整合与研发战略。
