市场研究机构counterpoint最新发布的报告指出，受人工智能（ai）及数据中心对高性能内存与闪存需求爆发式增长推动，2025年第四季度全球dram与nand闪存价格已大幅上涨约40%–50%。该机构预测，这一涨势将持续：2026年第一季度价格或再攀升40%–50%，第二季度仍有约20%的上行空间。报告综合分析了合约价与现货市场价格走势，并强调短期内供给端难以迅速扩产，是本轮涨价的核心制约因素。
报告中援引的具体数据显示，面向服务器市场的64GB RDIMM模组价格，由2025年第三季度的约255美元升至第四季度的约450美元，预计在2026年初进一步跃升至约700美元；与此同时，下游厂商纷纷提前签署长期采购协议，致使2026年内存与闪存产能几乎被全部锁定。
推动价格持续走高的核心动因，包括AI模型训练与推理对DDR5、高带宽内存（HBM）及高端NAND的强劲拉力，GPU与AI加速芯片厂商产能扩张所引发的上游链式需求，以及晶圆制造与封装测试环节受限于物理瓶颈与巨额资本投入，短期内难以显著提升产出能力。
主流内存原厂及代工企业已陆续调高报价，并优先保障企业级客户供应，此举进一步加剧了整体市场的供需失衡。
基于上述趋势，Counterpoint同步下调了2026年全球智能手机出货量预期——主要原因在于整机BOM成本上升将挤压终端厂商利润空间，或被迫传导至消费者端，抬高零售售价。
此外，报告指出，若未出现大规模新增产能释放，或AI相关资本开支节奏明显放缓、宏观经济承压导致需求减弱，则内存与闪存价格在2026年上半年大概率维持高位运行；而2027年及之后的价格走向，将高度依赖于厂商资本支出策略、先进封装技术进展、新型存储介质商业化进程，以及AI硬件基础设施建设的可持续性。
