英特尔于本周四就其emib（embedded multi-die interconnect bridge，嵌入式多芯片互连桥）技术与业界主流的2.5d封装方案展开详细对比，指出emib在制造成本控制、设计流程简化以及系统架构灵活性等方面展现出突出优势，更契合下一代高性能芯片对先进封装的多样化需求。
据英特尔介绍，EMIB技术已成功落地于多款旗舰级产品中，涵盖Ponte Vecchio、Sapphire Rapids、Granite Rapids、Sierra Forest，以及即将发布的Clearwater Forest系列处理器。
面向未来，无论是在自研芯片平台还是为代工客户提供的解决方案中，先进封装能力都将构成英特尔核心技术支柱之一。尤其针对数据中心场景的高端处理器，普遍采用大规模异构集成设计，整合多个功能各异的芯粒（Chiplet），并依托EMIB及其它自主封装技术实现高效互连。
相较而言，当前行业主要竞争对手（如台积电）所采用的先进封装路径，仍以2.5D和3D堆叠为主。其中，2.5D方案依赖整片硅中介层（Silicon Interposer）来连接多个芯粒，信号传输需经由中介层内部的TSV（Through-Silicon Via，硅通孔）完成。
英特尔指出，该类方案需消耗大量仅用于布线功能的硅材料；随着芯片面积持续扩大，不仅推高了整体封装成本，也显著提升了物理设计与验证难度，同时TSV工艺本身也会对最终良率造成负面影响。
此外，英特尔认为，传统2.5D封装在芯片尺寸适配性与芯粒组合自由度方面存在明显局限，难以灵活混搭不同工艺节点、不同功能类型的计算单元与存储单元，从而制约了系统级创新空间。
而EMIB则通过将微型硅桥直接嵌入封装基板，在目标芯粒之间构建局部高速通道，无需部署整块硅中介层。英特尔强调，这一方式大幅减少了硅材料用量与制造工序，降低了综合成本，并支持按需定制桥接位置，显著增强了封装结构的可扩展性与适应性。
目前，英特尔将EMIB划分为两大技术路线：
第一类是EMIB 2.5D，主要用于逻辑芯粒之间或逻辑芯粒与HBM（高带宽内存）之间的互连，已于2017年实现量产。其中，EMIB-M版本在硅桥中集成了MIM（Metal-Insulator-Metal）电容，提升电源完整性；EMIB-T版本则引入TSV结构，增强对多种IP模块及封装形态的兼容能力。
第二类为EMIB 3.5D，系EMIB与Foveros 3D堆叠技术的深度融合方案，适用于构建高度复杂的异构计算系统。典型案例如英特尔数据中心GPU Max系列SoC，即采用EMIB 3.5D架构，集成47个有效芯粒，覆盖5种不同制程节点，晶体管总数突破1000亿颗。
英特尔总结出EMIB的三大关键价值：封装良率稳定可控、具备可观的成本优化潜力、整体开发流程更为简洁高效。
随着英特尔加速拓展IDM 2.0战略，持续推进包括14A在内的前沿制程研发与代工业务布局，EMIB与Foveros等先进封装技术正日益成为其构建差异化竞争力的核心引擎，同时也将进一步加剧其与台积电在高端芯片制造与封装领域的深度博弈。
