三星计划明年初量产超过 300 层的第九代 V-NAND 闪存，号称层数业内最多-IT新闻-PHP中文网

三星计划明年初量产超过 300 层的第九代 V-NAND 闪存，号称层数业内最多

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发布： 2023-10-19 12:13:05

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本站 10 月 19 日消息，三星是全球最大的 nand 闪存供应商，对其 v-nand（即三星称之为的 3d nand）的发展有着宏大的计划，本周三星分享了一些相关信息。该公司证实，其正在按计划生产拥有超过 300 层的第九代 v-nand 闪存，并表示这将是业内层数最多的 3d nand。

三星计划明年初量产超过 300 层的第九代 V-NAND 闪存，号称层数业内最多

“第九代 V-NAND 基于双层结构，层数达到业界最高水平，明年初将开始量产。”三星电子总裁兼存储器事业部负责人李政培（Lee Jung-Bae）在博客文章中写道。

本站注意到，8 月份就有消息称，三星正在研发拥有超过 300 层的第九代 V-NAND，将继续采用三星在 2020 年首次使用的双层技术。而且三星现在表示其 3D NAND 的有效层数将超过竞争对手，目前我们知道 SK 海力士的下一代 3D NAND 将具有 321 层，因此三星第九代 V-NAND 层数应该会更多。

层数的增加将使三星提高其 3D NAND 设备的存储密度。该公司预计，未来的闪存类型不仅会提高存储密度，还会提高性能。

“三星还在研究下一代创造价值的技术，包括一种新的结构，可以最大化 V-NAND 的输入 / 输出（I / O）速度。”李政培说。