采用第八代 BiCS FLASH 3D 闪存技术，拥有业内最高容量。
与第五代 QLC 器件相比，位密度提高约 2.3 倍，写入能效提高约 70%。
采用 16 片堆叠架构，尺寸为 11.5 x 13.5 毫米，高度为 1.5 毫米，总容量达到 4 TB。
使用 CBA（CMOS 直接绑定到阵列）技术，创建更高密度的设备，支持 3.6Gbps 接口速度。
推出 1Tb QLC 存储器，专为性能敏感型应用设计，连续写入性能提高约 30%，读取延迟时间缩短约 15%。
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