本站 8 月 19 日消息,据韩媒 zdnet korea 报道,sk 海力士 euv 材料技术人员当地时间本月 12 日出席技术会议时向媒体表示,该企业计划于 2026 年首次导入 asml 的 high na euv 光刻机。sk 海力士的一位工程师表示该公司新近成立了一个 high na euv 研发团队,正致力于将 high na euv 光刻技术应用到最先进 dram 内存的生产上。

英特尔:
台积电:
三星电子:
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