江苏捷捷微电子股份有限公司近日公布一项名为“一种纵向变掺杂的igbt结构及制备方法”的专利(申请公布号:cn118969828a),公布日期为2024年11月15日。
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该专利属于半导体技术领域,尤其是一种新型混合栅IGBT结构及其制造方法。该结构包含第一导电类型的半导体衬底,衬底正面生长有相同导电类型的外延层,外延层正面具有元胞结构,衬底背面则为集电极结构。其核心创新在于元胞结构中沟槽栅和平面栅的交替排列,两者之间设置发射极结构。这种设计显著提升了IGBT的短路能力,同时降低了EMI噪声,实现了性能的优化平衡。
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