6月6日,日本NAND闪存制造商铠侠公布了一项长期业务战略,目标是在未来五年内将其NAND闪存生产能力提高到目前的两倍,以迎合人工智能数据中心不断增长的存储需求。
按照铠侠的扩展计划,公司打算通过对位于日本四日市和北上的工厂进行生产线投资,在2029财年达成NAND闪存产能比2024财年翻一番的目标。此举是为了响应全球AI基础设施建设所催生的存储需求增加,特别是针对大模型训练、边缘计算以及高性能计算等领域对高速、高密度存储解决方案提出的更高要求。
除了产能的提升,铠侠还计划从2026年下半年起开始生产下一代存储技术的产品。尽管具体的细节尚未公开,但业界普遍推测这或许涉及到更高层数的3D NAND或者其他先进的结构设计,目的是为了提高性能并减少成本。
铠侠作出此扩产决定之时,正值全球存储市场逐渐复苏的时候。早前,由于供应与需求不平衡,NAND市场遭遇了价格下滑和减产的情况。而现在,在AI应用推动下,市场需求显著恢复,促使主要厂商重新启动扩产步伐。世界半导体贸易统计组织(WSTS)预计,2025年全球存储器市场的规模可能同比增长16.2%,其中NAND闪存将是主要的增长驱动力之一。
不过,也有专家提出了潜在的风险点:假如接下来几年里AI进展不如预期或者终端市场需求减弱,可能会导致产能过剩的问题出现。因此,如何在扩展业务的同时适应市场的变动,对于铠侠这样的存储企业来说是一个关键挑战。
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