挑战 ASML，俄罗斯公布国产极紫外光刻设备长期路线图

9 月 28 日消息，根据 tom's hardware 的报道，俄罗斯科学院微结构物理研究所（由德米特里・库兹涅佐夫公开）发布了一项关于国产极紫外（euv）光刻设备的长期发展规划。该设备工作波长为 11.2 纳米，是对该机构在去年 12 月所披露技术信息的进一步扩展和深化。新项目计划从 2026 年启动，初期聚焦于 40 纳米制造工艺，并逐步推进至 2037 年，目标实现亚 10 纳米（sub-10nm）制程能力。相较此前的一些设想，这份路线图显得更具现实操作性，但其实际可行性仍有待验证；此外，即便成功研发，这项技术也可能不会投入商业市场使用。

该项目最引人关注之处在于，其拟开发的 EUV 光刻系统并未沿用 ASML 的技术架构，而是采用一套全新的技术路径：结合混合固态激光器、基于氙气等离子体的光源，以及由钌与铍（Ru / Be）构成的反射镜系统——这种反射镜专为高效反射 11.2 纳米波长光线而设计。与 ASML 使用锡滴产生等离子体的方式不同，俄罗斯方案选择氙气作为光源材料，此举可有效避免对光掩模造成损害的碎屑问题，从而显著减少设备维护频率。同时，相比 ASML 的深紫外（DUV）光刻机，该方案通过简化整体系统结构，绕开了高压浸没液体制程和多重曝光等复杂步骤。

该发展路线图明确划分为三个关键阶段：

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• 第一阶段（2026–2028 年）：研制支持 40 纳米制程的光刻设备，配备双反射镜物镜系统，套刻精度达到 10 纳米，最大曝光场尺寸为 3×3 毫米，晶圆处理速度超过 5 片/小时。
• 第二阶段（2029–2032 年）：推出面向 28 纳米制程的扫描式光刻机（具备升级至 14 纳米的潜力），采用四反射镜光学设计，套刻精度提升至 5 纳米，曝光场尺寸达 26×0.5 毫米，吞吐量不低于 50 片/小时。
• 第三阶段（2033–2036 年）：实现亚 10 纳米级别的量产能力，配置六反射镜系统，套刻精度压缩至 2 纳米，最大曝光区域可达 26×2 毫米，设计产能超过 100 片/小时。

在分辨率方面，这套系统的适用范围预计覆盖 65 纳米到 9 纳米节点，足以应对 2025 至 2027 年间多数关键芯片层的制造需求。每一代设备都将持续优化光学精度与扫描效率。据估计，其单位制造成本将远低于 ASML 当前的 Twinscan NXE 和 EXE 系列平台。

值得注意的是，研发团队指出，将极紫外光刻技术应用于成熟制程（trailing nodes）可能带来一系列非预期优势。然而，他们并未详细说明使用 11.2 纳米这一非标准波长所带来的挑战，例如特殊反射镜的制造、专用抛光设备、配套光学元件、定制化光源系统、高稳定性电源以及适配型光刻胶等关键技术难题。事实上，在全球 EUV 光刻领域，11.2 纳米并不属于行业通用波长。

总体来看，这份路线图描绘了俄罗斯试图突破传统 EUV 技术壁垒、构建自主芯片制造体系的战略蓝图。然而其实现前景仍充满不确定性，因其要求在整个半导体产业链中完成多项技术跃迁。这些设备并非针对大规模晶圆厂的超高吞吐量场景，而是定位于服务中小型晶圆厂的高性价比解决方案。由于无需依赖浸没式工艺或锡基等离子体，该光刻系统具备清洁、低维护和易于扩展的特点，未来或许能吸引那些无法接入 ASML 技术生态的国际客户。若该项目最终得以全面实施，有望以更低的资本投入与运营成本，支撑国内外先进芯片的研发、生产与出口。

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