
11月4日,在韩国举行的SK AI峰会中,SK海力士披露了其未来存储技术的发展蓝图。作为全球三大存储原厂之一,SK海力士在行业内的技术导向作用不容小觑。
根据公布的信息,存储领域的下一个关键转折点预计将在2029至2031年间到来,尤其集中在2030年前后,届时多项核心技术标准将迎来全面革新。
在传统内存领域,DDR6与GDDR8的研发已悄然展开。其中,DDR6的进度更为领先,三大存储厂商均已完成了原型设计,并进入验证测试阶段。初步规格显示,其起始频率将高达8800MT/s,理论峰值甚至有望达到17600MT/s。
相较之下,GDDR8仍处于早期规划阶段,路线图上仅以“GDDR7-NEXT”代称,未来也可能命名为GDDR7X等形式。
值得一提的是,当前GDDR7显存尚未全面普及,目前仅有NVIDIA的RTX 50系列采用,AMD方面仍未跟进。
至于移动平台,LPDDR6标准已正式发布,后续演进版本LPDDR7虽已在规划之中,但本次并未明确列出具体时间节点。

在AI浪潮的驱动下,HBM(高带宽内存)成为发展重点。HBM4及HBM4E即将陆续登场,并将被广泛应用于NVIDIA和AMD的新一代加速卡中。更远期的HBM5与HBM5E也已纳入规划,目标在2030年前后实现落地。
在存储接口与闪存技术方面,PCIe 5.0持续演进,单盘容量有望突破245TB(采用QLC技术)。UFS 5.0标准刚刚定型,下一步将迈向PCIe 6.0时代。长远来看,PCIe 7.0、UFS 6.0以及超过400层的3D NAND堆叠技术都将逐步实现,为未来数据密集型应用提供坚实支撑。

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