11月6日，在2024-2025年度第八届ic独角兽颁奖典礼上，联和存储科技（江苏）有限公司（简称：联和存储）凭借其自主研发的“高带宽闪存芯片技术”脱颖而出，荣膺大奖。作为中国存储芯片领域的创新先锋，联和存储以核心技术自主创新为引擎，前瞻性布局hbftm（high bandwidth flashtm）技术生态，致力于为全球ai产业打造一条兼具高带宽与低成本优势的发展新路径。
三年突围：从国产替代迈向技术引领
联和存储的成长历程，是中国科技企业打破“卡脖子”困局的真实缩影。成立仅三年多以来，公司始终秉持“技术自主、产品国产”的使命，成功攻克多项存储芯片核心技术难题，显著提升国产化水平。目前，其产品已广泛应用于智能终端、工业控制、消费电子、安防网络、物联网等20多个细分领域，帮助众多客户实现降本增效。构建的“存储+”生态系统，已服务超200家产业链上下游企业，覆盖多种高可靠性应用场景，成为推动国产替代进程的重要力量。
HBFTM技术：重塑AI时代的存储格局
随着AI大模型与边缘计算的迅猛发展，算力需求呈现爆发式增长，传统存储架构在带宽瓶颈与成本压力下日益乏力。联和存储精准洞察这一趋势，联合产业链伙伴，率先布局HBFTM技术。通过融合3D堆叠结构与高速互联协议的创新设计，该技术可大幅提升数据传输带宽，满足AI模型实时推理对毫秒级数据响应的需求，同时具备显著的成本优势，助力高带宽存储技术实现规模化落地。
当算力竞争进入“拼带宽、比能效”的新阶段，联和存储依托HBFTM生态的提前卡位，正逐步破解AI存储领域长期存在的“性能、功耗、成本”三者难以兼顾的“不可能三角”。短短三年多时间，企业实现了从行业追随者到技术引领者的跃迁，走出了一条独具特色的自主创新之路。展望未来，联和存储将持续深化HBFTM技术的应用拓展与生态建设，为全球AI产业注入强劲动能。真正的创新不止于技术突破，更在于定义未来——联和存储正在这条路上坚定前行！
