11月25日，三星在上月宣布成功研发首款24gb（3gb）gddr7 dram之后，再次传来新进展。据其官网最新信息，公司已推出速度更快的gddr7样品，数据传输速率从原先的28gbps（型号k4vcf325zc-sc28）提升至32gbps（k4vcf325zc-sc32）和36gbps（k4vcf325zc-sc36）两个新版本。
虽然目前英伟达是否将在GeForce RTX 50 SUPER系列显卡中采用3GB规格的GDDR7尚属未确认消息，且是否会选用更高频率的32Gbps或36Gbps版本仍待观察，但三星此次提速无疑为显卡制造商带来了更灵活、更高性能的选择空间。
技术方面，这款24Gb GDDR7基于三星第五代10nm级DRAM制程打造，在保持原有封装尺寸不变的情况下，实现了存储密度提升50%的突破。
与前代GDDR6使用的NRZ/PAM2以及GDDR6X采用的PAM4信号编码不同，GDDR7首次引入了创新的PAM3编码方式，有效提升了单位时间内数据传输效率。
同时，三星还将原本应用于移动设备DRAM中的节能技术迁移至图形内存领域，例如“时钟动态管理”和“双电压（VDD）架构”，大幅减少非工作状态下的电力消耗，综合能效相较前代提升超过30%。为保障高频运行的稳定性，该产品还集成了电源门控技术，显著降低漏电流风险。
