随着半导体製程技术持续演进，台积电预计将于2028年下半年突破2奈米关卡，并在同年启动1.4奈米晶圆的生产计划。据悉，台积电将为此新建四座晶圆厂，初期投资高达490亿美元。与此同时，日本新兴半导体企业rapidus也不甘示弱，传出将在2027年动工兴建同为1.4奈米制程的先进晶圆厂，并规划在同一基地推进更先进的1奈米芯片研发，尽管后者尚属中长期目标。
政府与产业联盟齐力支援 Rapidus加速挑战顶尖製程
据《日经亚洲》报导，Rapidus计划在日本北海道——该国第二大岛屿——展开1.4奈米晶圆厂的建设。该公司正积极对标台积电的发展节奏，预计在2026年前后启动下一代制程节点的研发工作。
实现如此宏大的技术蓝图需要庞大的资金支撑，而Rapidus已获得强力支持。日本政府不仅将其视为国家战略项目，更联合索尼（Sony）、丰田（Toyota）等重量级企业共同注资，总计承诺投入达100亿美元（约1.7兆日圆），为其技术研发与建厂提供坚实后盾。
尚未迈入量产阶段 良率难题成关键挑战
尽管资金到位，Rapidus仍必须克服所有先进制程厂商都会面临的严峻考验——良率提升。虽然目前并无公开的良率数据，但业界普遍认为，如何实现稳定且高效率的大规模生产，将是Rapidus能否成功的关键瓶颈。
截至目前，Rapidus尚未正式进入2奈米晶圆的全面量产阶段，其目标是在2027年实现规模化制造。不过，今年早前已有消息称，该公司已达成一项虽小却具指标意义的进展：成功试产采用GAA（环绕式闸极）架构的2奈米制程芯片。
在先进制程竞赛中，台积电无疑是Rapidus最强大的对手，但三星（Samsung）同样不容忽视。据报道，这家韩国半导体巨头已于今年三月装设由ASML打造、专用于1.4奈米芯片生产的高数值孔径EUV（High-NA EUV）光刻机，逐步布局下世代製程战线。
