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SK海力士联手NVIDIA开发下一代AI NAND:性能提升10倍!

碧海醫心
发布: 2025-12-13 13:39:13
原创
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12月11日最新消息,sk海力士正式宣布将与nvidia建立深度战略协作关系,联合推进下一代ai nand存储技术的研发,致力于突破当前ai计算与数据存储之间日益凸显的性能鸿沟。

该创新性解决方案计划于2026年底交付首批工程样品,整体性能预计较当前主流产品实现近10倍跃升。

在“2025人工智能半导体未来技术大会(AISFC)”上,SK海力士副社长Kim Cheon-seong表示,公司正围绕数据中心及边缘计算两大关键应用场景,系统性布局高技术附加值的AI专用内存产品体系。

面向AI数据中心需求,SK海力士正打造名为“AIN Family”的全系列AI NAND产品组合,该系列涵盖三款差异化定位的NAND解决方案,分别聚焦于性能优化(AI-NP)、带宽强化(AI-NB)以及容量扩展(AI-ND)。

其中,AI-NP作为面向大规模AI推理任务的核心存储方案,采用全新设计的NAND单元结构与智能控制器架构,旨在显著缓解AI芯片与存储介质间的数据传输瓶颈,从而在提升运算吞吐量的同时大幅降低单位算力能耗。

据Kim Cheon-seong介绍,SK海力士已与NVIDIA同步启动AI-NP的技术验证工作,首代样品将搭载PCIe Gen 6接口,并具备高达2500万次IOPS的随机读写能力。

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而当前数据中心级高性能企业SSD的IOPS峰值普遍维持在约300万次水平,这意味着AI-NP初代样本的性能将达到现有产品的8至10倍区间。

SK海力士进一步规划,第二代AI-NP产品将于2027年底进入量产阶段,目标IOPS指标提升至1亿次,届时其综合性能相较现有企业级固态硬盘有望实现30倍以上的跨越。

除AI-NP外,SK海力士亦正加速推进AI-NB的研发进程,即高频宽闪存(HBF),其设计理念借鉴了HBM内存的高带宽思路——区别在于HBM通过垂直堆叠DRAM芯片实现,而HBF则依托NAND闪存的三维堆叠工艺构建。

SK海力士联手NVIDIA开发下一代AI NAND:性能提升10倍!

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