12月22日快讯，据最新消息显示，韩国两大存储芯片领军企业——三星电子与sk海力士正加速扩充内存产能，全力响应人工智能领域爆发式增长的芯片需求。
据悉，三星电子近期不仅提高了其在韩国本土的DRAM及NAND闪存产线运行负荷率，更显著加码高带宽内存（HBM）等尖端存储产品的制造规模。
此外，三星已于11月正式重启平泽第五工厂的建设工程，计划于2028年投入量产，旨在进一步夯实其在先进存储技术领域的供应能力。
而SK海力士方面，其位于清州的全新M15X晶圆厂正加快推进量产筹备工作，该厂将主要聚焦于高性能DRAM及面向AI应用的定制化存储解决方案。
业内资深人士透露，SK海力士正力争提前完成其位于龙仁半导体园区的首座自建晶圆厂，目标时间点有望早于原定的2027年；该工厂整体规划产能相当于六座M15X晶圆厂的总和。
鉴于AI相关硬件对存储性能与容量提出更高要求，且市场普遍预判该类需求将在未来数年内持续攀升，产能布局已成为企业核心竞争力的关键一环。Omdia数据显示，全球DRAM市场规模预计将从2024年的1000亿美元跃升至2026年的1700亿美元。
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