1月14日最新消息，dram内存与nand闪存这两类核心存储芯片正迎来大幅涨价潮，并已全面波及电子产业链。其中，ddr5内存条价格涨幅尤为显著，普遍上涨达2至3倍。
据业内预估，这一轮涨价趋势至少将持续贯穿整个2026年。近期，三星等头部厂商已宣布新一轮合约价上调幅度高达50%—60%，部分厂商甚至计划提价超70%。需特别指出的是，此次调价是在2023年第三季度、第四季度连续多轮涨价基础上的进一步加码。
此轮内存价格飙升的直接导火索是AI产业爆发式增长，但深层原因在于产能扩张严重滞后于需求激增。当前全球AI基础设施年度投资规模已突破万亿美元大关，对高带宽、大容量内存及闪存的需求空前高涨——尤其随着AI模型对“记忆”能力依赖度持续提升，高性能内存成为关键瓶颈。
那么，全球内存制造产能现状如何？目前约95%的产能高度集中于三星、SK海力士与美光这三大巨头手中，市场供应节奏基本由其主导。
据Omdia机构预测，三星2024年内存晶圆产能将提升至约800万片，具体为793万片，相较2023年的759万片，增幅约为5%，新增产能主要来自韩国平泽工厂的产线升级与扩能。
SK海力士2024年产能预计达648万片晶圆，较去年的597万片增长约8%，增速略高于三星。不过，作为全球HBM内存市场的绝对龙头，其新增产能中相当比例将优先投向HBM产品线，因此在DDR/LPDDR等通用内存领域的实际供应增量或将明显低于8%。
美光2024年产能则基本维持稳定，预计仍处于360万片晶圆左右的水平。
综合来看，三大原厂今年并无大规模扩产计划，这也印证了此前业内传闻：即便终端需求持续旺盛，上游厂商仍倾向于控制供给节奏，以维持高位价格与利润空间——“惜产保价”已成为主流策略。
当前内存市场整体呈现严重供不应求局面，全行业平均需求满足率仅约60%；而面向数据中心与AI服务器的高端内存，满足率更跌至50%以下，即缺货率普遍在40%—50%以上，供需失衡矛盾极为突出。
对于AI巨头而言，供应压力相对可控：谷歌、微软、META等企业资金雄厚，AI算力基建投入不计成本；即便美国最新政策要求科技公司自行解决AI用电问题，也未能动摇其加大AI硬件部署的决心。
但普通消费级市场则难言乐观。PC与智能手机所用的DDR、LPDDR内存价格仍将延续涨势，且2024年供应或进一步收紧——因HBM内存产能持续扩张，挤占了原本可用于通用内存的制造资源，而全行业仅5%的产能增长，大部分已被HBM项目消化。
