9月21日消息，在hbm内存市场上，曾经的行业领头羊三星一度落后于sk海力士和美光，成为第三家实现量产的企业。然而，面对hbm4这一关键节点，三星展现出强烈的反攻决心。
最新消息显示，三星的HBM3e产品在历经18个月的量产周期后，终于获得了NVIDIA的认证。此前已取得AMD的认可，这意味着其正式具备了向两大AI芯片巨头供货的资格。
尽管如此，由于SK海力士在HBM3e市场已建立起明显的先发优势，三星短期内难以大规模抢占份额。因此，其战略重心已全面转向新一代HBM4内存。
虽然SK海力士率先宣布量产HBM4，但其采用的是第五代10nm级（1b）工艺。而三星则直接将最先进的技术应用于HBM4，在平泽P5工厂导入了第六代10nm级DRAM工艺——1c工艺。
依托1c工艺与4nm逻辑芯片的技术协同，三星成功将HBM4的运行频率提升至11Gbps，相较标准版HBM4的8Gbps，性能增幅高达37.5%。
据悉，NVIDIA为应对AMD即将推出的MI450系列AI显卡，正要求供应商将HBM4频率提升至10Gbps。三星以11Gbps的领先表现，无疑在争夺NVIDIA订单的竞争中占据了有利位置。
目前，三星已在技术层面实现“逆袭”，但能否最终赢得NVIDIA与AMD的大规模订单，还需观察后续的产能爬坡情况以及市场定价策略。
以上就是三星HBM4逆袭成功：祭出顶级1c工艺 性能暴涨37%的详细内容，更多请关注php中文网其它相关文章！
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