dram的容量远大于sram。
这并非简单的技术规格比较，而是两种内存架构根本差异所致。SRAM，静态随机存取存储器，依靠晶体管的物理状态来存储数据，每个比特需要六个晶体管。这种结构稳定，速度极快，但集成度低，单位面积存储的信息少，导致容量有限。 我曾经参与一个嵌入式系统项目，当时为了平衡速度和成本，我们选择使用SRAM存储关键的实时数据，而将容量更大的程序代码和非实时数据存储在外部的DRAM中。 这其中的权衡就体现了SRAM容量小的局限性。如果当时全部使用SRAM，成本将不可接受，而且系统体积也会大幅增加。
而DRAM，动态随机存取存储器，则利用电容存储电荷来表示数据，每个比特只需要一个晶体管和一个电容。这使得DRAM的集成度远高于SRAM，可以实现更高的存储密度，从而拥有更大的容量。 然而，电容会漏电，因此DRAM需要周期性地刷新数据，这导致它的速度比SRAM慢。 我记得有一次调试一个大型服务器，发现系统响应速度缓慢，经过排查，最终定位到是DRAM的刷新机制与系统负载不匹配导致的性能瓶颈。解决这个问题，需要对系统进行优化，调整DRAM的刷新频率，并对代码进行部分重构，以减少对内存的频繁访问。
因此，选择DRAM还是SRAM，取决于具体的应用场景。需要高速缓存的场合，例如CPU缓存，SRAM是理想的选择；而对于需要大容量存储的场合，例如电脑内存或移动设备内存，DRAM则更合适。 这两种内存技术并非相互替代，而是相辅相成，共同构成了现代电子设备的存储体系。 理解它们之间的区别，对于从事电子工程或计算机相关工作的人来说至关重要。
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