dram内存与nand闪存这两类关键存储芯片的价格大幅上扬，已波及整个电子产业链。其中，dram内存涨幅尤为显著，ddr5内存条价格较此前普遍上涨2至3倍。
据业内最保守预测，这一涨价趋势将持续贯穿2026全年。近期，三星等头部厂商已宣布新一轮合约价上调50%–60%，部分厂商甚至计划提价超70%——需注意，这轮调涨是在2023年第三季度、第四季度已连续多轮涨价基础上的再度加码。
此轮DRAM价格飙升的直接导火索是AI应用爆发带来的海量需求，但深层症结在于产能扩张严重滞后于需求增长。当前全球AI基础设施年投资额高达万亿美元级别，对高带宽、大容量内存及闪存的需求激增；尤其随着AI模型日益依赖“记忆”能力（如上下文窗口扩展、向量数据库、实时推理缓存等），对内存性能与容量的要求持续跃升。
那么，全球DRAM产能现状如何？目前行业高度集中，约95%的产能由三星、SK海力士与美光三大巨头掌控，市场供给节奏基本由这三家企业主导。
根据Omdia最新数据：
- 三星2024年DRAM产能预计达约793万片晶圆（折合12英寸等效），较2023年的759万片提升约5%，新增产能主要来自韩国平泽工厂的产线优化与爬坡；
- SK海力士2024年产能目标为648万片晶圆，同比增长约8%（2023年为597万片），虽增幅高于三星，但其产能重心正加速向HBM（高带宽内存）倾斜——作为全球HBM市占率第一的供应商，其新增产能中相当比例将用于HBM系列，因此对传统DDR/LPDDR市场的实际增量供给或远低于8%；
- 美光2024年DRAM产能则基本维持稳定，预计仍在360万片晶圆左右，与2023年持平。
综合来看，三大原厂今年均未启动大规模扩产计划，印证了此前业界传闻：即便终端需求持续旺盛，上游厂商仍倾向于通过控制供给节奏来维持高位盈利，而非盲目增产稀释利润。
当前DRAM市场整体处于深度缺货状态，全行业平均需求满足率仅约60%；而服务器内存细分领域更为严峻，满足率不足50%，即缺货率高达40%–50%以上，供需失衡矛盾极为突出。
值得注意的是，AI客户（如谷歌、微软、META等）所采购的内存相对有保障——这些科技巨头资金雄厚，AI算力建设属于战略刚性投入，即便成本飙升、电力配套压力加剧（如美国新规要求AI企业自建供电设施），其投资意愿与执行力度依然强劲。
相比之下，通用消费市场则面临更大压力：PC端DDR内存、手机端LPDDR内存的价格涨势难止，且2024年供应量可能进一步收紧。原因在于，新增的有限产能（如三星5%的增幅）主要被优先分配至HBM等AI专用内存，进一步挤压了面向大众市场的标准内存供给空间。
