三星电子今日发布了关于内存芯片最新开发进展的消息，并展示了他们在存储芯片密度极限和开发突破性材料方面的雄心壮志
三星电子存储业务主管李政培（Lee Jung-Bae）表示，三星已经生产了基于其第九代V-NAND闪存产品的产品，并计划在明年初开始量产。此外，该公司还在开发行业领先的11nm级DRAM芯片
三星正在研发DRAM的3D堆叠结构和新材料。对于NAND闪存，三星正在通过增加堆叠层数并降低高度，实现半导体行业中最小的单元尺寸
他说道：“在即将到来的10纳米以下的DRAM和超过1000层的V-NAND芯片时代，新的结构和新的材料变得非常重要。”
三星电子对于AI芯片的重要性不言而喻。目前，该公司已经开始生产HBM3高性能内存芯片，并且还在研发下一代HBM3E芯片
李政培表示，三星希望能够为客户生产定制的HBM芯片。他说：“我们正在专注于满足超级规模人工智能等新应用的需求。我们将继续推进内存芯片生产线，以应对多样化的需求和长交付周期的挑战。”
三星电子将于10月20日在硅谷举办2023年三星存储器技术日活动。届时，这家韩国芯片制造商将推出一些最新的存储器芯片技术和产品。我们也将为大家带来更多报道
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