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迈入存储新纪元!SK海力士宣布2025年量产321层超高层数闪存

WBOY
发布: 2023-08-22 10:05:09
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8月21日消息,近日,nand闪存技术再次取得重大突破,开启了存储领域的新篇章。据业内消息透露,全球主要存储制造商正竞相推出超高层数的闪存产品,引发了业界对存储密度和性能的新期待。

SK海力士近期宣布推出了一款令人瞩目的300+层闪存,标志着NAND闪存技术在堆叠层数方面的巨大进步。该款闪存拥有惊人的321层,采用TLC技术,单个Die的容量高达1Tb(128GB),然而,这款产品将于2025年才能量产。

三星也不甘示弱,据韩国媒体透露,他们计划在2024年推出自己的300+层闪存产品,力争领先一步。虽然目前三星的闪存细节尚未公开,但可以确定的是,该产品依然采用双重堆叠技术,并在细节方面进行了一系列创新。

值得一提的是,除了层数的提升,闪存容量也在不断刷新纪录。三星最近公布了一款高达256TB的企业级SSD,采用QLC技术,以满足企业级市场对大容量存储的需求。此外,他们还在积极研发PB级的SSD,预计超过1000TB的存储容量将在不久的将来成为现实

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小编了解到,持续创新的NAND闪存技术将对数据存储和处理领域产生重大影响。随着技术的进步,存储设备的容量将会增加,速度也会更快,为各种应用场景提供更强大的支持

以上就是迈入存储新纪元!SK海力士宣布2025年量产321层超高层数闪存的详细内容,更多请关注php中文网其它相关文章!

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